MT41K256M16HA-107ITE智能手机闪存芯片,原装进口

地区:广东 深圳
认证:

深圳振华航空半导体有限公司

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    DRAM(DynamicRAM/DRAM)保留数据时间短,速度比SRAM慢,但快于其他任何ROM,比SRAM便宜很多,常用于计算机内存。DRAM种类很多,常见的有FPRAM/FastPage、EDORAM、RDRAM、SGRAM、SDRAM、DDRRAM等。



    MT41K256M16HA-107ITE产品图:



    MT41K256M16HA-107ITE智能手机闪存芯片基本信息:

    品牌:镁光

    存储器类型:易失

    存储器格式:DRAM

    技术:SDRAM-DDR3L



    MT41K256M16HA-107ITE智能手机闪存芯片参数:

    供应商器件封装:96-FBGA(9x14)

    无铅情况/RoHs:无铅/符合RoH

    存储容量:4Gb(256Mx16)

    时钟频率:933MHz

    访问时间:20ns

    存储器接口:并联

    电压-电源:1.283V~1.45V

    工作温度:-40°C~95°C(TC)

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:96-TFBGA



    公司介绍:

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设采购量限制,不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。


品牌

镁光

安装类型

表面贴装

封装/外壳

96-TFBGA

供应商器件封装

96-FBGA(9x14)

存储器接口

并联

类别

集成电路(ICs)