图文详情
产品属性
相关推荐
东芝
引领创新»>
家
主菜单
>主页
>应用程序
>产品
>ASIC和铸造
ASSP
>二极管
>显示器和设备
>驱动IC
>一般用途
线性集成电路
>通用逻辑
集成电路
>记忆
> EMB。与非门闪存
> SLC NAND
>SLC NAND小
街区
>SLC NAND大号
街区
>SLC NAND大号
容量
>SLC和开关
界面
> BENANDno
>MLC NAND闪存
我是MMCTI。
> SmartNANDno
> MCP存储器
>内容存储
解决
»Flashairti.i无线
局域网SO卡
>卡和U盘
为消费者
>微控制器
>光学半导体
设备
>无线电频率
设备
>传感器
>固态驱动器(SSDL
晶体管
>无线系统
>支持
东芝
欧洲电子
搜索
>搜索数据表
东芝分号。网站
站点搜索
•联系我们!!:>零件号搜索0 ke)“单词搜索i:j•
•交叉参考搜索~~=-\uuuu::]~半导体和存储产品公司
产品应用程序对我们的支持
家。特维莫洛夫NAND闪存。TV1LC NAND。E•TV1F11C'T.T.
E.MMC C.
eommcno的接口符合jedec eommcno高速存储卡标准的4.4/4.41版本。用户可以在各种产品中轻松使用eommcno
嵌入式存储卡设备(符合eommcno)。由于eommcno将一个NAND NASH内存和一个控制器芯片集成在一个包中,因此它可以执行以下控制:
错误纠正、磨损调平和内部块管理不良。所有eommcno部件都具有适用于所有衍生产品和代产品的兼容管脚布局。这将用户从
担心NAND NASH内存所需的控制操作,使其易于使用。
EOMMCNO产品清单
电源
容量零件号e-mmc速度i-~:………,------工作温度包
版本(MHz)I~C~CQ(·C)
2 GByte JTHGBM4G401 HBAir 4.41至52 1.65至1.95,2.7至3.62
4 GByte THGBM5G5A1JBair“4.41 A至200 1.70至1.95,2.7至3.6
8 GByte JTHGBM5G6A2JBair“4.41 A至200 1.70至1.95,2.7至3.6
16 Gbyte THGBM5G7A2JBATM•4.41 A至200 2.7至3.6 1-:-:-:-:-,-:-:-,-,…,-,-,……,-,…,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,F-:-:-:-L 1.70至1.95,2.7至3.6
32 GB THGBM5G8A4JBATM•4.41 A至200
64千兆字节THGBM5G9B8JBate•4.41 A
128千兆字节thgbm4todbgbaj 4.41
•:新产品
到200
到52
1.70至1.95,2.7至3.6
1.65至1.95,2.7至3.6
- 25至85
THGBMBG5D1KBAI
TOSHIBA
环保无铅
盘装