村田电容器GRM32ER7YA106KA12L

离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显著上升。

由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。

综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，最后导致电容器击穿。

                                           物料编号：GRM32ER7YA106KA12L