供应FDN338P仙童额定P沟道MOS

此 P 沟道 2.5 V 额定 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性–1.6 A, –20 V.RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 VRDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V快速开关速度高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)SuperSOT™ -3 提供低 RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比 SOT23 高出 30%

应用This product is general usage and suitable for many different applications.Battery ManagementLoad SwitchBattery Protection