供应RUM002N02罗姆N沟道MOS管

制造商:ROHM Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-723-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:300 mVVgs - 栅极-源极电压:2.5 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:150 mW通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:RUM002N02 晶体管类型:1 N-Channel 商标:ROHM Semiconductor 正向跨导 - 最小值:200 ms 下降时间:10 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量:8000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:5 ns 零件号别名:RUM002N02