CSD13202Q2 场效应管(MOSFET) WSON-6
地区：广东 深圳
认证：
图文详情
产品属性
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| 类型 |
描述 |
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类别 |
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制造商 |
Texas Instruments |
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系列 |
NexFET™ |
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包装 |
卷带 |
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FET 类型 |
N 通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
12 V |
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) |
22A（Ta） |
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驱动电压 |
2.5V-4.5V |
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不同 Id、Vgs 时导通电阻 |
9.3 毫欧 @ 5A，4.5V |
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不同 Id 时 Vgs(th) |
1.1V @ 250μA |
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) |
6.6 nC @ 4.5 V |
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Vgs |
±8V |
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss) |
997 pF @ 6 V |
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功率耗散 |
2.7W（Ta） |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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供应商器件封装 |
6-WSON（2x2） |
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。CSD13202Q2
TI(德州仪器)
WSON-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
