NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G 深圳市芯晔微电子有限公司 只做原装正品 制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.3 ARds On-漏源导通电阻:350 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:700 mVVgs - 栅极-源极电压:2.5 VQg-栅极电荷:3.1 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:400 mW配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:NTR1P02L 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor 下降时间:15 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:15 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:18 ns 典型接通延迟时间:7 ns 单位重量:8 mg
