CSD86350Q5D CSD86350Q5D CSD86350Q5D 芯晔微只做原装，正品保障 ，诚信经营~ 制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFET 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LSON-CLIP-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:25 VId-连续漏极电流:40 AVgs th-栅源极阈值电压:900 mVVgs - 栅极-源极电压:8 VQg-栅极电荷:8.2 nC, 19.4 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:13 W配置:Dual通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.5 mm 长度:6 mm 系列:CSD86350Q5D 晶体管类型:2 N-Channel 类型:Synchronous Buck MOSFET Driver 宽度:5 mm 商标:Texas Instruments 正向跨导 - 最小值:103 S, 132 S 开发套件:CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690 下降时间:2.3 ns, 21 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:21 ns, 23 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:9 ns, 24 ns 典型接通延迟时间:8 ns, 9 ns 单位重量:170 mg
