供应TPH7R506NH

型号：TPH7R506NH

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

封装 / 箱体:SOP-Advance-8

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:55 A

Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

数据列表：TPH7R506NH -特色产品：Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs标准包装：5,000类别：分立半导体产品家庭：FET - 单系列：-包装：带卷（TR）FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压（Vdss）：60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 11A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 300μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：31nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2320pF @ 30V功率 - 最大值：45W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-SOP 高级其它名称：TPH7R506NHL1QTPH7R506NHL1QTR

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