CSD87381P CSD87381P CSD87381P 制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PTAB-5通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:16.3 mOhms, 7.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:8 VVgs th-栅源极阈值电压:1.1 V, 1 VQg-栅极电荷:3.9 nC, 8.9 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:4 W配置:Dual通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.48 mm 长度:3 mm 系列:CSD87381P 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:2.5 mm 商标:Texas Instruments 正向跨导 - 最小值:40 S, 89 S 开发套件:CSD87381PEVM-603 下降时间:3 ns, 2.9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:19.3 ns, 16.3 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:10.6 ns, 16.8 ns 典型接通延迟时间:6.7 ns, 7.9 ns
