STGW35HF60WD品牌TI封装TO-247晶体管

STGW35HF60WD  STGW35HF60WD  STGW35HF60WD

制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息 技术:Si封装 / 箱体:TO-247安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.5 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:60 APd-功率耗散:200 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:STGW35HF60WD封装:Tube商标:STMicroelectronics 栅极—射极漏泄电流:0.1 uA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs 单位重量:6.500 g