STU6N60M2品牌TI封装TO-251场效应管

STU6N60M2  STU6N60M2  STU6N60M2

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:8 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:60 W配置:Single商标名:MDmesh封装:Tube系列:STU6N60M2 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:22.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7.4 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:24 ns 典型接通延迟时间:9.5 ns 单位重量:4 g