STW18N65M5 ST TO-247场效应管

STW18N65M5  STW18N65M5  STW18N65M5

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:9.4 ARds On-漏源导通电阻:220 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VVgs th-栅源极阈值电压:5 VQg-栅极电荷:31 nCPd-功率耗散:110 W配置:Single商标名:MDmesh封装:Tube系列:STW18N65M5 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 单位重量:38 g