PM3303E 内置 650V/2A 多功能恒压驱动芯片

PM3303E 内置 650V/2A 多功能恒压驱动芯片

概述
PM3303E是一款内置2A/650V高压MOSFET的 多功能驱动芯片。多项创新的专利技术，使得 系统只需要非常少的外置元器件，就可以实现 高PF低THD应用，或者低PF应用; 既可以应用 于非隔离的BOOST和BUCK-BOOST系统，也 可以应用于隔离的FLYBACK系统。PM3303E 主要应用于功率在50W以内的恒压驱动电源系 统。
PM3303E电感电流工作于临界模式（BCM）， 配合开关管漏极电压谷底开通（QR）技术，实 现高效率和低电磁干扰。
PM3303E集成了多重的保护功能，输出短路、 过温保护以及各个引脚的开路、短路保护功 能，从而使系统具备更高的可靠性。
PM3303E采用SOP8封装。

特点 

高压启动及供电技术  高PF或低PF应用  

隔离或非隔离应用  内置ZCD技术  

动态控制技术  QR及MOSFET驱动技术  3%系统恒压精度  内置过温补偿 

特点
高压启动及供电技术  高PF或低PF应用 

 隔离或非隔离应用  内置ZCD技术  动态控制技术  QR及MOSFET驱动技术  3%系统恒压精度  内置过温补偿
应用
 辅助电源  前级功率因数校正  中小功率开关电源/适配器/充电器  恒压源