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ENI1220 IPM 测试系统
系统概述 基础配置 该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,
系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。 电压电流 标配选配标配选配 1200V1000V200A200A 2200V400A 3300V600A 4500V1000A 6000V2000A 配置/短路测试 电压电流短路测试 标配选配标配选配项目范围误差分辨率 1200V2200V200A400AVPN100V~1200V±3%10V 3300V600A测试电流10A~75A±3%1A 4500V1000A短路电流100A~500A±3%1A 6000V2000A短路时间1 uS~10uS可调可调 测试功能 测试范围测试参数 IPMBVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,
UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS IGBTICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) DIODEVF-Temp, Temp, VF revision
参数 / 精度 静态参数 动态参数 上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)上
桥
开
关
参
数集电极电压Vce:
100~1200V,误差±3%,分辨率10V 上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) 上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)集电极电流Ice:
10~75A,误差±3%,分辨率1A 上桥驱动IC高端静态工作电流测试
(Iqbs-U,V,W) VD=VBS=15V, 误差±3%,分辨率0.1V 上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)VIN=0~5V 误差±3%,分辨率0.1V 上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)ton-L : 10~500nS, 误差±3%,分辨率1nS 上桥驱动IC导通阈值电压测试
(Vth(on)-UH VH WH)tc(on)-L :5~200nS, 误差±3%,分辨率1nS toff-L: 50~500nS, 误差±3%,分辨率1nS 上桥驱动IC关断阈值电压测试
(Vth(off)-UH VH WH)tc(off)-L: 5~200nS, 误差±3%,分辨率1nS Trr-L :10~500nS, 误差±3%,分辨率1nS 上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)Eon-L :0.1~10mJ, 误差±3%,分辨率0.1mJ 上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)Eoff-L: 0.1~10mJ 误差±3%,分辨率0.1mJ 下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)下
桥
开
关
参
数集电极电压Vce:
100~1200V,误差±3%,分辨率10V 下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL) 故障输出电压测试(Vfoh Vfol)集电极电流Ice:
10~75A,误差±3%,分辨率1A 过流保护阈值电压测试(Vcin(ref)) 下桥欠压保护监测电平(UVdd)VD=VBS=15V, 误差±3%,分辨率0.1V 下桥欠压保护复位电平(UVdr)VIN=0~5V 误差±3%,分辨率0.1V 下桥驱动IC导通阈值电压
(Vth(on)-UL VL WL)ton-L : 10~500nS, 误差±3%,分辨率1nS tc(on)-L :5~200nS, 误差±3%,分辨率1nS 下桥驱动IC关断阈值电压
(Vth(off)-UL VL WL)toff-L: 50~500nS, 误差±3%,分辨率1nS tc(off)-L: 5~200nS, 误差±3%,分辨率1nS 下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)Trr-L :10~500nS, 误差±3%,分辨率1nS 下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL) Eon-L :0.1~10mJ, 误差±3%,分辨率0.1mJ Eoff-L: 0.1~10mJ 误差±3%,分辨率0.1mJ
ENI1220
西安易恩电气
西安市高陵区
半导体测试设备原厂