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EN-2005C 功率器件综合测试系统
(晶体管图示仪)
1、系统概述
EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
2、系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上YB6600接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下,输入所选器件系列名称和测试类型,并选择所需测试的参数,而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间,非常快捷方便。
3、概述
EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制,达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下,这些源与条件负载按照条件准确的连接,其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。
4、测试系统特点
1.图形显示功能
2.局部放大功能
3.程序保护最大电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护最大电流/电压,以防损坏
5、系统规格及技术指标
工作温度:25℃--40℃
工作湿度:45%--80%
贮存湿度:10%--90%
工作电压:200v--240v
电源频率:47HZ--63HZ
通信接口:RS232 USB
系统功耗:<150w
设备尺寸:450mm×570mm×280mm
6、测试范围 测试范围 / 测试参数 序号测试器件测试参数 01二极管
DIODEIR;BVR ;VF 02晶体管
(NPN型/PNP型)ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF 03J型场效应管
J-FETIGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF 04MOS场效应管
MOS-FETIDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS 05双向可控硅
TRIACVD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH- 06可控硅
SCRIDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH 07绝缘栅双极大功率晶体管
IGBTICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS 08硅触发可控硅
STSIH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW- 09达林顿阵列
DARLINTONICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON 10光电耦合
OPTO-COUPLERICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode) 11继电器
RELAYRCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME 12稳压、齐纳二极管
ZENERIR;BVZ;VF;ZZ 13三端稳压器
REGULATORVout;Iin; 14光电开关
OPTO-SWITCHICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF 15光电逻辑
OPTO-LOGICIR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF 16金属氧化物压变电阻
MOVID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ; 17固态过压保护器
SSOVPID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ- 18压变电阻
VARISTORID+; ID-;VC+ ;VC- 19双向触发二极管
DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
EN-2005C
西安易恩电气
西安市高陵区
半导体测试设备原厂