供应全新 原装 现货 热卖 100A0R6BT150XT

Features Advanced GaN HEMT Technology Output Power of 9W Advanced Heat-Sink Technology 30MHz to 512MHzInstantaneous Bandwidth Input Internally Matched to 50 28V Operation TypicalPerformance Output Power 39.5dBm Gain 19dB Power Added Efficiency 70% -40°C to 85°C OperatingTemperature Large Signal Models AvailableApplications Pre-Driver for Multiband WirelessInfrastructure Transmitters Class AB Operation for PublicMobile Radio Power Amplifier Stage forCommercial WirelessInfrastructure General Purpose Tx Amplification Test Instrumentation Civilian and Military Radar

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批号：无铅环保
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