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NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G

Features

• Diode Clamp Between Gate and Source

• ESD Protection − Human Body Model 5000 V

• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp

• Scalable to Lower or Higher RDS(on)

• Internal Series Gate Resistance

• These are Pb−Free Devices

Benefits

• High Energy Capability for Inductive Loads

• Low Switching Noise Generation

Applications

• Automotive and Industrial Markets:

Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100

Qualified and PPAP Capable

型号

NCV8440ASTT1G
数量
790
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
59V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.6A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
110 毫欧 @ 2.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
4.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
155pF @ 35V
功率 - 最大值
1.69W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223

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批号:无铅环保
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型号

NCV8440ASTT1G

封装

原厂封装

批次

18+

数量

500000

货期

现货