SI3456DDV-T1-GE3 晶体管 - FET

SI3456DDV-T1-GE3 介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

制造商标准提前期 27 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 325pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），2.7W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。