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AOWF4S60 介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
详细描述 通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 25W(Tc)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 aMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 900 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 263pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3 整包,I2Pak
艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
aMOS™
分立半导体产品
晶体管 - FET
\t±30V\t