FDB047N10 晶体管 - FET

FDB047N10 介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

制造商标准提前期 12 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 210nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15265pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 375W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。