PH2625L115 晶体管 - FET

地区:广东 深圳
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PH2625L115  介绍:

描述 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 TrenchMOS™

包装 ? 剪切带(CT) ?

零件状态 Digi-Key 停产

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4308pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳 SC-100,SOT-669,4-LFPAK

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。


系列

TrenchMOS™

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

25V