NGTB20N120IH 半导体分立器件

地区:广东 深圳
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NGTB20N120IH 介绍:

描述 IGBT 20A 1200V TO-247

详细描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 341W Through Hole TO-247-3

类别 半导体分立器件

晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 40A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.65V @ 15V,20A

功率 - 最大值 341W

开关能量 480μJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 150nC

25°C 时 Td(开/关)值 -/170ns

测试条件 600V,20A,10 欧姆,15V

工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247-3

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,

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Strong Product Line:DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等品牌,


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半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧,大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁,国内优秀的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究,特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。半导体分立器件制造,指单个的半导体晶体管构成的一个电子元件的制造。



系列

-

类别

半导体分立器件

产品族

晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

电压

-