SI4916DY 半导体分立器件

SI4916DY 介绍:

描述 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 LITTLE FOOT®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 通道（半桥）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A，10.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -

功率 - 最大值 3.3W，3.5W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 SI4916

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半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧，大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内优秀的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。半导体分立器件制造，指单个的半导体晶体管构成的一个电子元件的制造。