SI5935CDC-T1-GE3 半导体分立器件

SI5935CDC-T1-GE3 介绍:

描述 MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 455pF @ 10V

功率 - 最大值 3.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 1206-8 ChipFET™

基本零件编号 SI5935

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