STL10N3LLH5 半导体分立器件

地区:广东 深圳
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STL10N3LLH5  介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

制造商标准提前期 38 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 9A(Tc) 2W(Ta),50W(Tc) PowerFlat™(3.3x3.3)

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ V

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±22V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2W(Ta),50W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerFlat™(3.3x3.3)

封装/外壳 8-PowerVDFN

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、

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半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧,大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁,国内优秀的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究,特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。半导体分立器件制造,指单个的半导体晶体管构成的一个电子元件的制造。



系列

STripFET™ V

类别

半导体分立器件

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

\t4.5V,10V