STL10N3LLH5 半导体分立器件

STL10N3LLH5  介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

制造商标准提前期 38 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat™（3.3x3.3）

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ V

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±22V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Ta），50W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerFlat™（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerVDFN

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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