D25N06 半导体分立器件

D25N06 介绍:

描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 8μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1220pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 29W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3-11

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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