RQ1A070ZPTR 半导体分立器

RQ1A070ZPTR 介绍:

描述 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

详细描述 表面贴装 P 沟道 12V 7A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8

类别 半导体分立器

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7400pF @ 6V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 700mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TSMT8

封装/外壳 8-SMD，扁平引线

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