APT35GP120BG 晶体管 - UGBT

APT35GP120BG 介绍:

描述 IGBT 1200V 96A 543W TO247

制造商标准提前期 23 周

详细描述 IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 Microsemi Corporation

系列 POWER MOS 7®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 PT

电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 96A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 140A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3.9V @ 15V，35A

功率 - 最大值 543W

开关能量 750μJ（开），680μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 150nC

25°C 时 Td（开/关）值 16ns/94ns

测试条件 600V，35A，5 欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247 [B]

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。