STGP19NC60KD 晶体管 - UGBT

STGP19NC60KD 介绍:

描述 IGBT 600V 35A 125W TO220

制造商标准提前期 38 周

详细描述 IGBT 600V 35A 125W Through Hole TO-220

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 PowerMESH™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿（最大值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 75A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.75V @ 15V，12A

功率 - 最大值 125W

开关能量 165μJ（开），255μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 55nC

25°C 时 Td（开/关）值 30ns/105ns

测试条件 480V，12A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 31ns

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220

基本零件编号 STG*19NC

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。