SI4909DY-T1-GE3 晶体管 - FET

地区:广东 深圳
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SI4909DY-T1-GE3 介绍:

描述 MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V

功率 - 最大值 3.2W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SO

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。




系列

分立半导体产品\t

类别

分立半导体产品\t

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

电压

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