存储器 MT40A256M16GE-083E:B DRAM

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MT40A256M16GE-083E:B介绍:

描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)

详细描述 SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 1.2GHz 96-FBGA(14x9)

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR4

存储容量 4Gb (256M x 16)

时钟频率 1.2GHz

写周期时间 - 字,页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V

工作温度 0°C ~ 95°C(TC)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA(14x9)

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,

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由于在现实中电容会有漏电的现象,导致电位差不足而使记忆消失,因此除非电容经常周期性地充电,否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,“静态”存储器只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。




系列

-

类别

集成电路(IC)

产品族

存储器

电压

1.14 V ~ 1.26 V