GP10NB60S 半导体分立器件

GP10NB60S 介绍:

描述 IGBT 600V 29A 80W TO220

制造商标准提前期 38 周

详细描述 IGBT 600V 29A 80W Through Hole TO-220AB

类别 半导体分立器件

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 PowerMESH™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿（最大值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 29A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.75V @ 15V，10A

功率 - 最大值 80W

开关能量 600μJ（开），5mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 33nC

25°C 时 Td（开/关）值 700ns/1.2μs

测试条件 480V，10A，1 千欧，15V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220AB

基本零件编号 STG*10NB

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