TK65S04K3L 半导体分立器件

TK65S04K3L 介绍:

描述 MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 88W（Tc） DPAK+

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSIV

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 32.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 88W（Tc）

工作温度 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK+

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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