TN2501N8 半导体分立器

TN2501N8 介绍:

描述 MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3

制造商标准提前期 5 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 18V 400mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）

类别 半导体分立器

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 18V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，3V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 200mA，3V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）

封装/外壳 TO-243AA

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