IRFSL3207ZPBF 半导体分立器件

IRFSL3207ZPBF 介绍:

描述 MOSFET N-CH 75V 120A TO-262

制造商标准提前期 26 周

详细描述 通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6920pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-262

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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