STF22NM60 半导体分立器件

STF22NM60 介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP

制造商标准提前期 42 周

详细描述 通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 44nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 30W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

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