IRF7313PBF 半导体分立器件 晶体管

IRF7313PBF 介绍:

描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 Digi-Key 停产

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 25V

功率 - 最大值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 IRF7313PBF

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