FDMS7578 半导体分立器件

FDMS7578介绍:

描述 MOSFET N-CH 25V 17A POWER56

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 39 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 17A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（5x6）

类别 半导体分立器件

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Ta），28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.8 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1625pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），33W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-PQFN（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

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