存储器 CY14B101I-SFXI NVSRAM

CY14B101I-SFXI介绍:

描述 IC NVSRAM 1M I2C 3.4MHZ 16SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

制造商标准提前期 10 周

详细描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） I2C 3.4MHz 16-SOIC

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）

存储容量 1Mb （128K x 8）

时钟频率 3.4MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 I2C

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装 16-SOIC

基本零件编号 CY14B101

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首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。