晶体管 0901NSI FET

0901NSI介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 41nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V

FET 功能 肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳 8-PowerTDFN

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晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件。晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。