存储器 S29GL128P10TFI01 闪存

S29GL128P10TFI01介绍:

描述 IC FLASH 128MBIT 100NS 56TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 56-TSOP

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 GL-P

包装 ? 托盘 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 闪存

技术 FLASH - NOR

存储容量 128Mb （16M x 8）

写周期时间 - 字，页 100ns

访问时间 100ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

供应商器件封装 56-TSOP

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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为解决高速的CPU与速度相对较慢的主存的矛盾，还可使用高速缓存。它采用速度很快、价格更高的半导体静态存储器，甚至与微处理器做在一起，存放当前使用最频繁的指令和数据。