存储器 S29GL064N90BFI033 闪存

S29GL064N90BFI033介绍:

描述 IC FLASH 64MBIT 90NS 48FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb （8M x 8，4M x 16） 并联 90ns 48-FBGA（8.15x6.15）

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 GL-N

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 闪存

技术 FLASH - NOR

存储容量 64Mb （8M x 8，4M x 16）

写周期时间 - 字，页 90ns

访问时间 90ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 48-VFBGA

供应商器件封装 48-FBGA（8.15x6.15）

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。