存储器 CY62158ELL-45ZSXI SRAM

CY62158ELL-45ZSXI绍:

描述 IC SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

制造商标准提前期 8 周

详细描述 SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 45ns 44-TSOP II

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 MoBL®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 异步

存储容量 8Mb （1M x 8）

写周期时间 - 字，页 45ns

访问时间 45ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）

供应商器件封装 44-TSOP II

基本零件编号 CY62158

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首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。