晶体管 K9A60D FET- 单

K9A60D介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 通孔 N 沟道 600V 9A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 π-MOSVII

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 830 毫欧 @ 4.5A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220SIS

封装/外壳 TO-220-3 整包

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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按导电方式:耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强