晶体管 IRF6641TR MOSFET - 单

IRF6641TR介绍:

描述 MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 39 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Ta），26A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MZ

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.6A（Ta），26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.9V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2290pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），89W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 59.9 毫欧 @ 5.5A，10V

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DIRECTFET™ MZ

封装/外壳 DirectFET™ 等容 MZ

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MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。