晶体管 SI4431BDYT1E3 半导体产品

SI4431BDYT1E3介绍:

描述 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 22 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 5V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 7.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家专业代理和分销世界各类知名品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

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光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。