晶体管 UMG11NTR 阵列 - 预偏置

UMG11NTR介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 2.2 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值） 500nA

频率 - 跃迁 250MHz

功率 - 最大值 150mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装 UMT5

基本零件编号 *MG11

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集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。