晶体管 SSM6K202FE FET

SSM6K202FE介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 12 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 1.5A，4V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 ES6（1.6x1.6）

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。