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产品属性
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IRLML2402TRPBF介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 250 毫欧 @ 930mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,
降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、
INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等,
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晶体管,本名是半导体三极管,晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。在这样的大功率电路中,存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。
HEXFET®
晶体管
-
2.7V,4.5V